電磁場シミュレーション法、その装置及びその記録媒体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：韮澤弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-340646
公開番号（公開出願番号）：特開2003-141182
出願日： 2001年11月06日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】解析計算領域内に分散性物質があり電磁場吸収層に接している場合においても、計算量及びメモリー使用量を著しく増大させることなく電磁場計算ができるシミュレーション法。【解決手段】周波数異常分散性物質1を含む空間内の電磁場シミュレーション法において、周波数異常分散性物性1を含み、解析的な電磁場計算を行う有限な空間である解析計算領域5を設定する過程と、解析計算領域5の外側に接続する電磁場吸収層6を設定する過程と、電磁場吸収層6部分が解析計算領域5内の周波数異常分散性物質1と接続する部分において、周波数異常分散性物質1とは異なる周波数分散を持つ物質62とインピーダンス整合をとる過程とを含む電磁場シミュレーション法。

請求項（抜粋）：

周波数異常分散性物質を含む空間内の電磁場分布をシミュレーションする方法であって、(a)前記電磁場分布を求める範囲である解析計算領域を設定する過程と、(b)前記領域の外側に接続する電磁場吸収層の領域を設定する過程と、(c)前記電磁場吸収層が前記周波数異常分散性物質と接続する部分において、前記周波数異常分散性物質とは異なる周波数分散を持つ物質を前記周波数異常分散性物質の代わりに設定する過程と、(d)該代わりの物質とインピーダンス整合がとれるように、前記電磁場吸収層の物質を設定する過程と、を含むことを特徴とする電磁場シミュレーション法。

Fターム (1件)：

5B046JA10

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