特許
J-GLOBAL ID:200903054990843595
銅部材を含む半導体装置およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
坂口 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-005345
公開番号(公開出願番号):特開2000-208513
出願日: 2000年01月14日
公開日(公表日): 2000年07月28日
要約:
【要約】【課題】 窒化シリコン、二酸化シリコンなどの銅部材に完全に接着しない層を、ゲルマニウムを含有する層を介入させることにより、銅部材への接着を改善する。【解決手段】 ゲルマニウムを含有する層は、ゲルマニウム化銅、酸化ゲルマニウム、窒化ゲルマニウム、またはこれらを組み合わせたものである。ゲルマニウムを含有する層は、接着を促進して完全に接着しない層を銅部材からはがれにくくすることができる。
請求項(抜粋):
半導体装置内に位置する銅部材と、前記銅部材の少なくとも一表面上に位置するゲルマニウム化銅、酸化ゲルマニウム、窒化ゲルマニウム、およびこれらの組み合わせからなる群から選択した少なくとも1つのゲルマニウムを含有する層と、ならびに前記ゲルマニウムを含有する層上に位置する銅と不完全に接着した材料の層とを具備する、半導体装置。
引用特許:
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