特許
J-GLOBAL ID：200903054999116947
チタン酸バリウム系半導体磁器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-035437
公開番号（公開出願番号）：特開平7-220902
出願日： 1994年02月07日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 常温における比抵抗が低く、しかも、抵抗温度係数が大きくて、破壊電圧の高い正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁器を得る。【構成】 BaTiO3,SrTiO3を主成分とし、半導体化剤としてLa,Sm,Erなどの希土類元素、Nb,Bi,Sb,W,Th,及びTaからなる群より選ばれる少なくとも1種、特性改善剤としてMn、及び焼結助剤としてSiO2を含有するチタン酸バリウム系半導体磁器の、TiとBaのモル比(Ti/Ba)、及び出発原料の比表面積をそれぞれ、Ti/Ba=1.005〜1.027出発原料の比表面積=1.0〜10.0m2/gの範囲とする。
請求項（抜粋）：
BaTiO3,SrTiO3を主成分とし、半導体化剤としてLa,Sm,Erなどの希土類元素、Nb,Bi,Sb,W,Th,及びTaからなる群より選ばれる少なくとも1種、特性改善剤としてMn、及び焼結助剤としてSiO2を含有するチタン酸バリウム系半導体磁器において、TiとBaのモル比(Ti/Ba)、及び出発原料の比表面積がそれぞれ、Ti/Ba=1.005〜1.027出発原料の比表面積=1.0〜10.0m2/gの範囲にあることを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器。
IPC (2件)：
引用特許：
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