特許

J-GLOBAL ID：200903055001722500

半導体保護装置

発明者： 田島 豊
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268363
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120412
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】サージ耐量の大きな半導体保護装置を提供する。【構成】N型の半導体基板に半導体素子が形成された半導体装置において、高電位側のVDD電源端子にコレクタが接続され、信号入力もしくは出力端子にエミッタとベースが接続されたNPN型バイポーラ・トランジスタ50を設けると共に、上記VDD電源端子にコレクタが接続され、低電位側のVSS電源端子にエミッタとベースが接続されたNPN型バイポーラ・トランジスタ51を設けたことを特徴とする半導体保護装置。

請求項（抜粋）：

N型の半導体基板に半導体素子が形成された半導体装置において、高電位側のVDD電源端子にコレクタが接続され、信号入力もしくは出力端子にエミッタとベースが接続されたNPN型バイポーラ・トランジスタを設けると共に、上記VDD電源端子にコレクタが接続され、低電位側のVSS電源端子にエミッタとベースが接続されたNPN型バイポーラ・トランジスタを設けたことを特徴とする半導体保護装置。

IPC (8件)：

H01L 23/522 ,  H01L 23/556 ,  H01L 23/60 ,  H01L 23/62 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/90

FI (3件)：

H01L 27/06 101 P ,  H01L 29/72 ,  H01L 23/56 A