特許

J-GLOBAL ID：200903055003643829

液晶表示装置

発明者： 西川 龍司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061053
公開番号（公開出願番号）：特開平7-270823
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 正スタガー型TFTを用いた付加容量型液晶表示装置において、補助容量の構造を改良することにより、走査方向の限定を無くすとともに、高歩留まりを実現する。【構成】 補助容量電極(12)を表示電極(14P)及びゲートライン(17L)に共通に重畳配置した構造で、補助容量電極(12)を共通として、これらの重畳部で2つの容量(SC1,SC2)が直列に接続され、この直列合成容量を補助容量とした、Cs on Gate方式の構成である。これにより、表示電極(14P)とドレインライン(14L)が絶縁されるため、上下方向への走査が可能となるとともに、絶縁膜に欠陥が生じて、補助容量(SC1,SC2)がショートしても、表示へ悪影響はでない。

請求項（抜粋）：

基板上に積層された第1のメタル膜をエッチングすることにより形成された補助容量電極及び遮光膜と、前記補助容量電極及び遮光膜を被覆して積層された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された透明導電膜をエッチングすることにより形成され、前記補助容量電極へ一部重畳して第1の容量を構成する表示電極と、前記透明導電膜をエッチングすることにより形成され、前記遮光膜上で前記表示電極への近接部を有するドレインラインと、前記表示電極及びドレインラインを被覆して順次積層された半導体膜、第2の絶縁膜及び第2のメタル膜からなる積層体をエッチングすることにより形成され、前記ドレインラインと表示電極の近接部への重畳部を有して薄膜トランジスタを構成するとともに、前記補助容量電極への重畳部を有して前記第1の容量に直列に接続された第2の容量を構成するゲートラインとが設けられ、前記第1及び第2の容量の合成容量を補助容量として備えた液晶表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1345