特許
J-GLOBAL ID：200903055005688595
ショットキ-バリアダイオ-ドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-026750
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226639
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 有効なエピタキシャル層の厚さを減ずることなく電界集中の緩和をはかることが可能なショットキ-バリアダイオ-ドを提供する。【構成】 シリコン基板1上にエピタキシャル層2を形成し,そのエピタキシャル層2上にSiO2(10)およびSi3N4膜(11)を順次積層する工程,そのSi3N4およびSiO2膜を貫通して窓を設け,湿式酸化を行って選択酸化膜15を形成する工程,その選択酸化膜15を除去し,前記エピタキシャル層2を露出させると共に凹部を形成する工程,及びその凹部にショットキー電極5を形成する工程を含んでいる。
請求項（抜粋）：
1) シリコン基板上にエピタキシャル層を形成する工程,2) 前記エピタキシャル層上にSiO2およびSi3N4膜を順次積層する工程,3) 前記Si3N4およびSiO2膜を貫通して窓を設け,前記エピタキシャル層の一部を露出する工程,4) 前記露出したエピタキシャル層の湿式酸化を行って選択酸化膜を形成する工程,5) 前記選択酸化膜を除去し,前記エピタキシャル層を露出させると共に凹部を形成する工程,6) 前記凹部にショットキー電極を形成する工程,を含むことを特徴とするショットキ-バリアダイオ-ドの製造方法。
IPC (2件)：
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