CMP装置の研磨パッドの調整方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：花輪義男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343567
公開番号（公開出願番号）：特開平10-180618
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月07日
要約：

【要約】【課題】従来の研磨パッドの調整は、パッド面に単一的な表面荒れを形成していたため、半導体装置のデバイス面の凸凹に押し付けられたパッド面が削られ、平坦性がなくなり、表面荒れに研磨の能力の差が生じていた。【解決手段】本発明は、研磨する半導体基板のデバイス面の膜厚分布を研磨前に測定し、その膜厚分布に対応して、硬度が異なる複数のダイヤモンド砥石を用いて、パッド面内を区分して表面荒れの粗さをそれぞれ調整し、パッド面内での研磨量を変化させることにより、研磨パッドの平坦性を維持させ、研磨される半導体基板のデバイス面の平坦化するCMP装置の研磨パッドの調整方法である。

請求項（抜粋）：

半導体基板の回路素子を形成するデバイス面を平坦化する化学的機械研磨(CMP)装置に用いる研磨パッドの研磨を行うパッド面の調整方法において、前記研磨パッドのパッド面を研磨前のデバイス面の膜厚分布に応じて、該パッド面内を区分して、硬度の異なる複数の砥石で、該パッド面の表面荒れを異なる粗さにそれぞれ調整することを特徴とするCMP装置の研磨パッドの調整方法。

IPC (2件)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 341

FI (3件)：

B24B 37/00 C , B24B 37/00 F , H01L 21/304 341 E

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