特許
J-GLOBAL ID：200903055010870148
二重拡散型の電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉田 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217055
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069508
出願日： 1992年08月14日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】二重拡散型の電界効果トランジスタにおいて、ゲート・ドレイン間容量を小さくしてスイッチング速度を向上させると共に、オン電圧を低減する。【構成】ポリシリコンゲート部6のチャンネル上以外の部分6aに、チャンネル上とは逆の導電型の不純物層を形成して浮遊させ、この浮遊された部分6aをダイオードDを介してゲート電極9に接続した。【効果】ゲート電極9への電圧印加時には、チャンネル間のドレイン領域の表面部に蓄積層が形成され、オン抵抗を低減できる。また、ゲート電極9への電圧非印加時には、チャンネル間のドレイン領域上のポリシリコンゲート部6aは、ゲート電極9から浮遊され、ゲート・ドレイン間容量が低減されるので、スイッチング速度が速くなる。
請求項（抜粋）：
ドレイン領域用の第1導電型の半導体基板の表面にチャンネル形成用の第2導電型の拡散領域が形成され、この拡散領域の表面にソース領域用の第1導電型の拡散領域が形成され、第2導電型の拡散領域の表面に第1導電型のチャンネルが形成されるように当該チャンネルとなる表面域の上にポリシリコンゲート部が絶縁層を介して形成されている半導体装置において、ポリシリコンゲート部のチャンネル上以外の部分に、チャンネル上とは逆の導電型の不純物層を形成して浮遊させ、この浮遊させた部分をダイオードを介してゲート電極に接続し、ポリシリコンゲート部のチャンネル上の部分をゲート電極に接続したことを特徴とする二重拡散型の電界効果トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 G
, H01L 29/78 321 K
