特許
J-GLOBAL ID：200903055014915677
半導体レーザモジュールの温度制御方法及び半導体レーザモジュールの温度制御装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 昂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-290619
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126939
出願日： 1997年10月23日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 LDモジュールの使用範囲を広げ、消費電力を低減するLDモジュールの温度制御方法及びLDモジュールの温度制御装置を提供することを目的とする。【解決手段】 LDモジュールの温度制御装置において、温度検出素子の抵抗を電圧に変換する温度モニタ手段と、LDの光出力特性の保証温度範囲をTLOW からTHOT までとした時、該TLOW に該当する温度モニタ手段の出力電圧に等しい第1基準電圧と、温度モニタ手段の出力電圧との第1差分電圧を出力する第1温度安定化手段と、THOT に該当する温度モニタ手段の電圧に等しい第2基準電圧と、温度モニタ手段の出力電圧との第2差分電圧を出力する第2温度安定化手段と、温度モニタ手段の出力電圧がLDの温度TLDが、TLD≦TLOW を示す時は、第1差分電圧を選択し、TLD≧THOT の時は、第2差分電圧を選択する選択手段と、選択手段の出力電圧に基づいて、TECを駆動するTEC駆動手段とを具備して構成する。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、該半導体レーザに近接して配置され、ペルチェ電流を流して、前記半導体レーザの温度調節をするペルチェ素子と、前記半導体レーザの温度により抵抗が変化する温度検出素子を有する半導体レーザモジュールの温度制御方法において、前記半導体レーザの光出力特性の保証温度範囲をT<SB>LOW </SB>からT<SB>HOT </SB>までとし、前記半導体レーザの外気温度をT<SB>a </SB>、前記温度検出素子の抵抗に基づいて測定される前記半導体レーザの温度をT<SB>LD</SB>とした時、T<SB>LOW </SB>≦T<SB>a </SB>≦T<SB>HOT </SB>の時に、前記ペルチェ素子には、前記ペルチェ電流を流さないようにし、T<SB>HOT </SB><T<SB>a </SB>の時に、T<SB>LOW </SB>≦T<SB>LD</SB>≦T<SB>HOT </SB>となるように、前記ペルチェ素子に前記ペルチェ電流を流し、T<SB>a </SB><T<SB>LOW </SB>の時に、T<SB>LOW </SB>≦T<SB>LD</SB>≦T<SB>HOT </SB>となるように、前記ペルチェ素子に前記ペルチェ電流を流すように制御することを特徴とする半導体レーザモジュールの温度制御方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/133
, F25B 21/02 F
