特許

J-GLOBAL ID：200903055015947661

半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

発明者： 三浦 弥一郎 ,  松井 俊一 ,  竹田 敏文
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立マイコンシステム
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316171
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162389
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 MIS・FET構造の半導体集積回路素子を有する半導体集積回路装置において、その半導体集積回路素子における素子特性の変動を抑制する。【解決手段】 半導体基板2上に形成されたMOS・FET4の全体を被覆するように、半導体基板2の上面全体に、窒化シリコンからなる絶縁膜5を形成することにより、層間絶縁膜6a, 6b中の水素イオン等がMOS・FET4のゲート絶縁膜4i中に入るのを阻止する構造とした。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にMIS・FET構造の半導体集積回路素子を設けてなる半導体集積回路装置の製造方法であって、以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。(a)前記半導体基板上に前記MIS・FET構造の半導体集積回路素子のゲート電極を形成する工程。(b)前記半導体基板上の少なくとも前記MIS・FET構造の半導体集積回路素子全体を被覆するように、窒素を含有する絶縁膜を形成する工程。

IPC (8件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 29/78 301 N ,  H01L 21/318 B ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371