特許
J-GLOBAL ID：200903055024530170
多結晶シリコン薄膜およびその形成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曽々木 太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-309355
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140325
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 高速ランプアニール法によってもガラス基板上に形成することができる大粒径の多結晶シリコン薄膜およびその形成法を提供する。【構成】 本発明の多結晶シリコン薄膜3は、アモルファスカーボンの薄膜2が形成されたガラス基板1上に形成されてなるものである。また、本発明の多結晶シリコン薄膜3の形成法は、ガラス基板1上にアモルファスカーボンの薄膜2を形成した後、該ガラス基板上に多結晶シリコン薄膜を形成するものである。
請求項（抜粋）：
アモルファスカーボンの薄膜が形成されたガラス基板上に形成されてなることを特徴とする多結晶シリコン薄膜。
IPC (2件)：
引用特許：
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