特許

J-GLOBAL ID：200903055027887559

プラズマ処理方法

発明者： 奥村 智洋 ,  中山 一郎 ,  柳 義弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-309245
公開番号（公開出願番号）：特開平8-165584
出願日： 1994年12月13日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 プラズマ処理結果の再現性に優れたプラズマ処理方法の提供。【構成】 高周波電力が供給される複数の電極3、4を備えたプラズマ処理装置を使用するプラズマ処理方法において、下部電極3に被加工基板2を載置し、先ず、図示しないガス供給系によって所定のプラズマ処理に対する不活性ガスを真空容器1内に導入し、図示しない真空系によって所定の真空度に維持し、前記複数の電極3、4に高周波電力を供給し、前記真空容器1内に発生するプラズマが安定した後に、前記真空容器1内に導入するガスを、前記不活性ガスから、所定の反応ガスに切り換える。

請求項（抜粋）：

高周波電力が供給される複数の電極を備えたプラズマ処理装置を使用するプラズマ処理方法において、先ず、所定のプラズマ処理に対する不活性ガスを真空容器内に導入し、所定の真空度に維持し、前記複数の電極に高周波電力を供給し、前記真空容器内に発生するプラズマが安定した後に、前記真空容器内に導入するガスを、前記不活性ガスから、所定の反応ガスに切り換えることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4件)：

C23F 4/00 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/302 A ,  H01L 21/302 C