基体の処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076918
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270403
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】本発明は、基体の表面上に付着した水分子を除去することが可能であるとともに、従来よりも有機系不純物の除去効率を向上せしめることの可能な基体の処理方法を提供する。【解決手段】本発明の基体の処理方法は、少なくとも排気手段306を備えた気密室301と、少なくとも排気手段307を備え、前記気密室と開閉部303を介して隣接する処理室302を有する基体処理装置を用い、前記気密室内に設置された基体308が前記処理室に移動する前に、前記気密室内において前記基体に紫外線を照射する工程を行った後、前記気密室内にオゾンガスを導入する工程を行うことを特徴とする。また、前記気密室内に設置された基体が前記処理室に移動する前に、前記気密室内にオゾンガスを導入する工程を行った後、前記気密室内において前記基体に紫外線を照射する工程を行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも排気手段を備えた気密室と、少なくとも排気手段を備え、前記気密室と開閉部を介して隣接する処理室を有する基体処理装置を用い、前記気密室内に設置された基体が前記処理室に移動する前に、前記気密室内において前記基体に紫外線を照射する工程を行った後、前記気密室内にオゾンガスを導入する工程を行うことを特徴とする基体の処理方法。

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