特許

J-GLOBAL ID：200903055031137165

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 斉藤 栄俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-043823
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241376
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 制御回路の簡略化、コマンド数の削減により、回路面積の縮小、検証時間の短縮を図る。【解決手段】 自動書き込みでは、PVOKを“0”、EVOK及びLCKOKを“1”に設定し、アドレスレジスタにラッチされたアドレスによりメモリセルを選択する。即ち、アドレスが固定された状態において消去前書き込み(ステップST5)のサブル-チンが実行される。消去(ステップST9)及び自己収束(ステップST13)のサブル-チンは、実行されない。消去では、PVOK、EVOK及びLCKOKの全てを“0”に設定し、アドレスカウンタの内部アドレスにより順次メモリセルを選択する。即ち、内部アドレスにより選択された各メモリセルに対し、消去前書き込み、消去、自己収束が実行される。

請求項（抜粋）：

書き込みを実行するか否かを決定する第1ビット、消去を実行するか否かを決定する第2ビット及び自己収束を実行するか否かを決定する第3ビットを有し、動作モ-ドに応じて前記第1乃至第3ビットの値を決定するベリファイビットレジスタと、前記第1乃至第3ビットの値に応じて前記書き込み、消去及び自己収束の少なくとも1つを実行するための制御回路とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 29/00 673

FI (2件)：

G11C 17/00 601 A ,  G11C 29/00 673 V