特許

J-GLOBAL ID：200903055038952824

半導体装置および光検出装置

発明者： 丸山 康弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (4件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  圓谷 徹 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-266535
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103987
出願日： 2002年09月12日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】電源電圧にノイズが加わった場合でもトランジスタが誤動作しにくい半導体装置及びそれを備えた光検出装置を提供する。【解決手段】半導体素子構造10は、抵抗R1と出力トランジスタQP1とを含んでいる。抵抗R1の抵抗層13と、出力トランジスタQP1のベース端子17aとが、メタル層15によって接続されている。また、抵抗R1に印加される電源電圧VCCは、出力トランジスタのエミッタ端子17cにも印加される。抵抗R1の島領域12はフローティングとなっており、寄生容量を生じないので、電源電圧VCCにノイズが加わった場合でも出力トランジスタQP1は誤動作しない。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

トランジスタと抵抗と配線とを基板に備えた半導体装置において、 上記抵抗は、一導電型の島領域と、この島領域内に形成された逆導電型の抵抗層とを含んでおり、 上記島領域には、上記抵抗層を介してのみ、上記配線からの電圧が印加され、上記トランジスタのベースには、上記配線からの電圧が、上記抵抗を介して印加されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/8222 ,  H01L27/06 ,  H01L27/14

FI (2件)：

H01L27/06 101D ,  H01L27/14 Z

Fターム (14件)：

4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA02 ,  4M118DD09 ,  4M118FC02 ,  4M118FC05 ,  4M118FC09 ,  5F082AA25 ,  5F082BA02 ,  5F082BC01 ,  5F082BC15 ,  5F082BC16 ,  5F082FA20 ,  5F082GA04