特許

J-GLOBAL ID：200903055040085828

透明導電膜の製造方法

発明者： 北村 真 ,  蔦尾 友重
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-016731
公開番号（公開出願番号）：特開平8-209338
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 抵抗膜方式のタブレット用透明電極として要求される初期性能および信頼性を満足する透明導電膜の製造方法を提供する。【構成】 SiO2 が2.2〜3.2重量%、残部がZnOからなる焼結体をスパッタリングターゲットとして、スパッタリングする。

請求項（抜粋）：

SiO2 が2.2〜3.2重量%、残部がZnOからなる焼結体をスパッタリングターゲットとして、スパッタリングすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 13/00 503