特許
J-GLOBAL ID：200903055040892073
エピタキシャル成長法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-337055
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188198
出願日： 1992年12月17日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 特別の工程や設備を必要とせず、簡単にアウトドープ防止用の膜を形成し、しかもアウトドープ防止膜の形成とエピタキシャル成長を同じ炉で連続的に行うことができるエピタキシャル成長法を提供する。【構成】 エピタキシャル成長装置のサセプタ2に、あらかじめポリシリコン膜3を設け、その上に半導体ウエハ4を載置して、高温の水素ガス雰囲気下で前記半導体ウエハの少なくとも裏面にアウトドープ防止用の膜として、前記ポリシリコン膜3の一部を付着させる。引き続き従来の方法で半導体結晶層9をエピタキシャル成長する。
請求項（抜粋）：
低比抵抗の半導体ウエハ表面に半導体結晶層を成長させるエピタキシャル成長法であって、(a)低比抵抗の半導体ウエハを載置するサセプタの該半導体ウエハの載置場所にポリシリコン膜を設け、(b)該サセプタ上に前記半導体ウエハを載置して高温の水素ガス雰囲気下で前記半導体ウエハの少なくとも裏面に前記ポリシリコン膜の一部を付着させ、(c)引き続き成長ガスを導入して前記半導体ウエハの表面に半導体結晶層をエピタキシャル成長せしめることを特徴とするエピタキシャル成長法。
IPC (2件)：
引用特許：
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