特許

J-GLOBAL ID：200903055043284643

半導体装置およびその作製方法

発明者： 村上 あかね ,  矢野 孝幸 ,  福地 邦彦 ,  面川 亮子 ,  竹山 順一 ,  須沢 英臣 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-093425
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260682
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタの活性層に接する酸化珪素膜の膜質を向上させ、活性層との界面特性を高める。【構成】 ガラス基板101上に成膜される下地膜として機能する酸化珪素膜を102と103で示されるような2層構造とする。下層の102は、酸素とアルゴンとの混合雰囲気中でのスパッタリングにより、高い成膜レートでもって成膜する。そして上層103を酸素100%雰囲気中でのスパッタリングにより、良好な膜質を有したものとして成膜する。このようにすることにより、高い生産性と良好な膜質を得ることができる。

請求項（抜粋）：

酸化珪素膜上に形成された薄膜半導体を有し、前記酸化珪素膜の上層におけるアルゴン原子の密度分布は、下層におけるものより低いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 29/78 617 V ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 626 C

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平3-241874
  
• 特開平3-184379
  
• 特開平4-177736
  
• 水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-172943   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (6件)

• 特開平4-177736
  
• 特開平3-241874
  
• 特開平3-241874
  
• 特開平3-184379
  
• 特開平4-177736
  
• 水素プラズマダウンフロー装置の洗浄方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-172943   出願人：富士通株式会社