特許
J-GLOBAL ID：200903055046252068
高周波磁場励起処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-344666
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196446
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハ上の薄膜をプラズマを用いてエッチングをする場合に、ウェーハ表面上に発生するプラズマ照射ダメージによる結晶転位等のダメージを防止する。【構成】 プラズマ発生室9の外殻をなす外壁1は、中空の円錐台形状をなし、外壁1の錐状周面には、高周波印加コイル3が均一な巻き密度で巻付けられている。そして、プラズマ発生室9の下方には、被エッチング材12が設置されている。高周波印加コイル3に高周波を通電して、高周波磁場10を被エッチング材12の方向に向けて発散減衰させて発生させ、無電極のプラズマ放電を行ってプラズマエッチングを行なう。
請求項（抜粋）：
プラズマ発生部を有し、高周波磁場内を通過してプラズマ化された反応ガスを被処理物に接触させて、該被処理物の処理を行なう高周波磁場励起処理装置であって、プラズマ発生部は、反応ガスの導入口から被処理物に向けて発散減衰する高周波磁場を発生させるものであることを特徴とする高周波磁場励起処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/302
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46
