特許

J-GLOBAL ID：200903055055767941

面発光レーザの製造方法

発明者： 杉本 喜正
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-023338
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204281
出願日： 1995年01月19日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 結晶成長工程の途中にエッチング工程が挿入されている製法において基板を大気に曝さないようにして、工程の簡素化と製品の高品質化を図る。【構成】 GaAs基板201上に、下部ブラッグ反射鏡層202、活性層203、中間層204を順次結晶成長させる〔図2(a)〕。試料を結晶成長室からエッチングを行う加工室に超高真空搬送路を介して搬送し、試料直上にマスク205をセットする。電子線206と塩化水素(HCl)ガス207を同時に照射し、電子線励起塩化水素ガスエッチングを行う〔図2(b)〕。加工の終了後、再び試料を超高真空搬送路を通して結晶成長室に搬送し、ここで上部ブラッグ反射鏡層208を成長させる。これにより、A領域とB領域とで発振波長の異なる2波長の面発光レーザの垂直共振器が形成できる〔図2(c)〕。

請求項（抜粋）：

(1)半導体基板上に下部ブラッグ反射鏡層、活性層、中間層をこの順に連続的にエピタキシャル成長させる工程と、(2)前記中間層の一部の領域を所定の膜厚になるまで選択的にエッチング除去する工程と、(3)前記中間層上に上部ブラッグ反射鏡層をエピタキシャル成長させる工程と、を備え、上記各工程間において半導体基板を大気に曝すことなく上記各工程を実行することを特徴とする面発光レーザの製造方法。