特許

J-GLOBAL ID：200903055057136388

半導体装置及びその製造方法

発明者： 高 在 弘 ,  姜 昌 錫 ,  權 奇 元 ,  スン、 ヨン-ビン
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022340
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291255
出願日： 1994年02月21日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 窒化膜を備える半導体装置の特性を改善させることのできる半導体装置の製造方法、及び、膜質が改善された窒化膜を備える半導体装置を提供すること。【構成】 半導体装置の窒化膜23にオゾン処理する工程を備え、好ましくは前記オゾン処理工程は、前記窒化膜に256nmあるいは185nmの紫外線を照射しながら、50〜300g/nm3 のオゾン濃度、200°C〜500°Cの基板温度の範囲で、0.1〜100分の間、実施する。また、オゾン処理された窒化膜23 ́の上部あるいは上下部に酸化膜24,24b,24aを備えることができる。

請求項（抜粋）：

窒化膜を備える半導体装置において、前記窒化膜は、オゾン処理された窒化膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/108