特許

J-GLOBAL ID：200903055060222180

半導体用治工具の清浄化方法

発明者： 皆川 和弘 ,  荒堀 忠久
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-320399
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162146
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素と金属シリコンとの複合材料または金属シリコンからなる半導体用治工具について、より適切な清浄化方法を見いだし、半導体装置の製造プロセスにおいてシリコンウェハを汚染することのない治工具を提供する。【解決手段】 半導体用治工具をフッ化水素酸で洗浄した後、酸素雰囲気下で熱処理することによりその表面に0.1μm〜5μmの厚みの酸化膜を形成する。酸化膜の形成された半導体用治工具を再びフッ化水素酸で洗浄することにより酸化膜を除去する。次いで半導体用治工具を不活性ガスの雰囲気下で熱処理する。

請求項（抜粋）：

炭化珪素および金属シリコンからなる複合材料または金属シリコンからなり、かつガス不透過性を有する半導体用治工具の清浄化方法であって、前記半導体用治工具をフッ化水素酸またはフッ化水素酸と塩酸の混合物で洗浄する工程と、前記洗浄された半導体用治工具を酸化雰囲気下で熱処理することにより、前記半導体用治工具の表面に0.1μm〜5μmの厚みの酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜の形成された前記半導体用治工具をフッ化水素酸またはフッ化水素酸と塩酸の混合物で洗浄することにより、前記酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜の除去された前記半導体用治工具を、前記半導体治工具の材料に不活性な雰囲気下で熱処理する工程とを備えることを特徴とする、半導体用治工具の清浄化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/22 501

FI (3件)：

H01L 21/304 341 C ,  H01L 21/304 341 Z ,  H01L 21/22 501 K