特許

J-GLOBAL ID：200903055062231798

化合物半導体素子およびその製造方法

発明者： 波多野 吾紅 ,  大場 康夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-101084
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311865
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 高品質のGax Aly In1-x-y Nを成長することにより、高性能の化合物半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板と、この基板上に形成されたMgを含むGax Aly In1-x-y N(0≦x≦1,0≦y≦1)からなるバッファー層と、このバッファー層上に形成されたMgを含むp型Gax Aly In1-x-y N(0≦x≦1,0≦y≦1)層とを具備することを特徴とする化合物半導体素子。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成されたMgを含むGax Aly In1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなるバッファー層と、このバッファー層上に形成されたMgを含むp型Gax Aly In1-x-y N(0≦x≦1,0≦y≦1)層とを具備することを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323