特許

J-GLOBAL ID：200903055093763070

半導体装置

発明者： 大西 龍也 ,  角田 真由美
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086237
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259317
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【構成】 本発明の半導体装置は、半導体素子表面に直接又は他の絶縁層を介して、ポリイミド樹脂の50 mol%以上の酸成分がビフェニルエーテルテトラカルボン酸成分で、またジアミン成分が50〜99 mol%の芳香族ジアミンと50〜1 mol %のシジアミノシロキサンで構成されるポリイミド樹脂層が形成されたことを特徴とする。【効果】 本発明によれば、特定の酸成分・ジアミン成分によりポリイミド樹脂が構成されるので、特に強フッ酸の処理に対しても十分耐えられる。

請求項（抜粋）：

半導体素子表面に直接又は他の絶縁層を介して、次の一般式で示されるポリイミド樹脂であって、【化1】(但し、式中R1 は 4価の有機基を、R2 は 2価の有機基を表す)(A)R1 を構成する全酸成分のうち50 mol%以上が、次の一般式で示されるビフェニルエーテルカルボン酸成分であり、【化2】(B)(a )R2 を構成する全ジアミン成分のうち50〜99 mol%が、次の一般式で示されるジアミン化合物であり、【化3】(但し、式中Xは-CH2 -,-O-,-C(CH3 )2 -,-SO2 -,-C(CF3 )2 -を表す)(b )R2 を構成する全ジアミン成分のうち50〜1 mol %が、次の一般式で示されるジアミノシロキサンである【化4】(但し、式中R3 およびR4 は 2価の有機基を、R5 〜R8 は炭素数 1〜6 の炭化水素基を表し、n は 0又は12以下の整数を表す)ものにより、ポリイミド樹脂層を形成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 73/10 NTF