特許
J-GLOBAL ID：200903055095064315
二重容器型CVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-050512
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263352
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 被蒸着物に付着する異物の量を低減させて、成膜精度を向上させる。【構成】 半導体ウエハ5を収容する内容器3と、内容器3の内側において反応性気体を半導体ウエハ5近傍で反応させるヒータ7と、内容器3を収容する外容器4と、不要な気体を排気領域に排出する排気口9とを有し、内容器3に収容された半導体ウエハ5に薄膜を形成する二重容器型CVD装置において、半導体ウエハ5の真上に落下物遮断用屋根8を設け、排気口9の位置を前記半導体ウエハ5の真上からずらし、ホルダー2、内容器3、外容器4、落下物遮断用屋根8を半導体ウエハ5に蒸着形成される薄膜と同じ熱膨張率を有する材料で構成する。また、前記構成に加え、内容器3の内側であって内容器3に収容された半導体ウエハ5を取り囲む位置に、半導体ウエハ5に蒸着形成される薄膜と同じ熱膨張率を有する材料からなる防護壁11を新たに設ける。
請求項（抜粋）：
被蒸着物を収容する内容器と、該内容器の内側において反応性気体を被蒸着物の近傍で反応させる反応活性手段と、前記内容器を収容する外容器と、反応後の不要な気体を前記内容器の内側から前記内容器の外側且つ前記外容器の内側の領域に排出する排気口とを有し、前記内容器に収容された被蒸着物の表面に薄膜を形成する二重容器型CVD装置において、前記内容器に収容された被蒸着物の真上を含む領域に落下物遮断用屋根を設け、前記排気口の位置を前記内容器に収容された被蒸着物の真上からずらしたことを特徴とする二重容器型CVD装置。
IPC (2件)：
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