特許
J-GLOBAL ID：200903055095235357
高電圧発振回路
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-348201
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193429
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】無調整CMOS発振回路において、特別の昇圧回路を必要としないで電源電圧より高い電圧を発生させる。【構成】セラミックレゾネータ(セラミック発振子)の一端をコンデンサを介してCMOSインバータの入力に接続し、この接続点から出力をとりだしている。【効果】 発振回路そのものから電源電圧の3〜10倍の出力電圧を発生するもので、特別の昇圧回路を必要としないため消費電力が少なく、昇圧回路の分のスペースも占有せず、またローコスト化が可能となる。
請求項（抜粋）：
CMOSインバータICと、セラミックレゾネータ、水晶発振子等の機械-電気振動素子と、抵抗と、コンデンサとからなる無調整CMOS発信回路において、前記機械-電気振動素子の一端とコンデンサを介して前記CMOSインバータICと接続し、前記コンデンサの他端の機械-電気振動素子との接続点から、電源電圧より高い電圧を発生することを特徴とする高電圧発振回路。
IPC (2件)：
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