特許

J-GLOBAL ID：200903055095420359

半導体素子の接続装置

発明者： 西田 耕次
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-094113
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302817
出願日： 1994年05月06日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】 生産性の向上と安定した接続信頼性に寄与することのできる半導体素子の接続装置を提供する。【構成】 基礎フレーム9の上部に上下動シリンダー8を垂直下向きに固定し、上下動シリンダー8のロッドに加圧ブロック体5を水平状態で取り付ける。加圧ブロック体5の下方にパネル支持テーブル1を設け、パネル支持テーブル1の所定の位置に、断面凵字状のブロック体3を加圧ブロック体5の長手方向に沿って直線上に複数個配置する。そして、各ブロック体3に、加圧ブロック体5の長手方向にシーソー式で首振り動作する被接続端子支持ステージ2を保持する。基礎フレーム9に、各ブロック体3の下方に位置して複数個の小型シリンダー4を垂直上向きに固定し、小型シリンダー4のロッドに支持板4aを水平状態で取り付ける。

請求項（抜粋）：

略水平に配置され、上下動可能な加圧ブロック体と、前記加圧ブロック体の下方に位置し、被接続基板がセットされるテーブルと、前記テーブルの所定の位置に前記加圧ブロック体の長手方向に沿って略直線上に配置された複数個のブロック体と、前記個々のブロック体に保持され、前記加圧ブロック体の略長手方向にシーソー式で首振り動作する被接続端子支持ステージと、前記各ブロック体の下方に位置し、前記各ブロック体を上昇加圧する上昇手段とを少なくとも備え、前記加圧ブロック体の下降後の一括加圧と前記上昇手段への圧力付加とにより上下から加圧接続を行う半導体素子の接続装置。