特許
J-GLOBAL ID：200903055096797081
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-128152
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311170
出願日： 2004年04月23日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 従来の白色発光の半導体発光装置において、LEDチップの大型化や、駆動電力の増加により、光量の増加を図ろうとすると、色変換を行う側の蛍光体が温度上昇などにより効率低下を生じ、むしろ光量が低下するなどの問題点を生じていた。 【解決手段】 本発明により、LEDチップ3と樹脂スペーサーとを収納するキャビティーが設けられたベース2と、樹脂スペーサーが、透明樹脂スペーサー4と、蛍光体6aが混和されてほぼ一定の厚みとして形成された波長変換スペーサー6との2層のスペーサーで構成され、波長変換スペーサーの内部には一部でベース2に接続された金属製の放熱用メッシュ7、又は、放熱用線材5が配置されている半導体発光装置1としたことで、波長変換スペーサー内の蛍光体に生じる熱を低下させ発光効率の低下を防止してより効率の高い半導体発光装置の提供を可能とし、課題を解決するものである。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
LEDチップと樹脂スペーサーとを収納するキャビティーが設けられたベースと、前記樹脂スペーサーが、透明樹脂スペーサーと、蛍光体が混和されてほぼ一定の厚みとして形成された波長変換スペーサーとの少なくとも2層のスペーサーで構成されて成る半導体発光装置であって、前記波長変換スペーサーの内部には金属製の放熱用メッシュ、又は、放熱用線材が配置されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA11
, 5F041AA33
, 5F041DA12
, 5F041DA19
, 5F041DA43
, 5F041DA46
, 5F041DA55
