特許

J-GLOBAL ID：200903055100821561

半導体製造装置

発明者： 井ノ口 泰啓 ,  池田 文秀 ,  田辺 光朗 ,  高寺 浩之 ,  笠次 克尚
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304804
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127142
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 ヒータユニット側の構造や制御の仕方を特に変えずに、ウェーハの均熱性の向上を図る。【解決手段】 反応室内に配され、上面にウェーハWの載置面11Aが形成されると共に、下面側にウェーハ加熱用のヒータ2が配設された半導体製造装置において、前記ウェーハWの載置面11Aを、周辺から中央に行くほど深さが増す凹球面状に形成すると共に、ウェーハWよりも小さい径の位置で、サセプタ11を、内周側サセプタ13と外周側サセプタ12とに同心状に二分割した。

請求項（抜粋）：

反応室内にウェーハ加熱用のヒータユニットと、該ヒータユニットの上面にウェーハの載置面が形成されたサセプタとを有した半導体製造装置において、前記載置面を、周辺から中央に行くほど深さが増す凹状に形成すると共に、ウェーハよりも小さい径の位置で、内周側部分と外周側部分とに同心状に分割したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/68 N ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/205

Fターム (10件)：

4K030CA12 ,  4K030GA02 ,  5F031CA02 ,  5F031DA13 ,  5F031HA37 ,  5F031MA28 ,  5F045BB08 ,  5F045EK07 ,  5F045EK22 ,  5F045EM02