特許

J-GLOBAL ID：200903055117049064

低減されたオフセット信号を持つホール・センサ

発明者： ハンス-ピーター・ホーエ ,  ノーバート・ウエバー ,  ヨゼフ・ザウエレル
出願人/特許権者： フラウンホーファー-ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-592700
公開番号（公開出願番号）：特表2004-519870
出願日： 2000年01月17日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

ホール・センサ(1)は、活性領域内に電流を発生させるために活性領域(5)を間に画定する2つの相対する電流供給コンタクト電極(7a、7c)と、ホール電圧をタップオフするための2つの相対する電圧タップ・コンタクト電極(7b、7d)を備え、それぞれのコンタクト電極で活性領域(5)に面する部分は、スピン電流作用のオフセット低減効果に対するコンタクトの妨害作用が低減されるように形成されている。

請求項（抜粋）：

間に活性領域(5;15)が画定され前記活性領域(5、15)内に電流を発生させるための2つの相対する電流供給コンタクト電極(7a、7c;17a、17c)、及びホール電圧をタップオフするための2つの相対する電圧タップ・コンタクト電極(7b、7d;17b、17d)を備えたホール・センサ素子(1;10)において、 前記それぞれのコンタクト電極(7a、7c;17a、17c)で前記活性領域(5、15)に面する部分が、スピン電流作用のオフセット低減効果に対する前記コンタクトの妨害作用が低減されるように形成されていることを特徴とするホール・センサ素子(1;10)。

IPC (1件)：

H01L43/06

FI (3件)：

H01L43/06 D ,  H01L43/06 P ,  H01L43/06 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ホール素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-205938   出願人：旭化成電子株式会社
• 半導体ホール素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-174562   出願人：株式会社東芝