特許

J-GLOBAL ID：200903055118637903

半導体装置

発明者： 山本 泰子 ,  杉野 聡
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 小谷 悦司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086774
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274330
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 基板抵抗の低いCMOS基板上であっても高いQを有するインダクタを基板面積が大幅に増大しないようにして形成し得るようにする。【解決手段】 CMOS基板28に、中心部で互いに直列接続されたアルミ配線からなるスパイラル状の第1及び第2インダクタ52,54からインダクタ18と、中心部で互いに直列接続されたアルミ配線からなるスパイラル状の第1及び第2インダクタ62,64からインダクタ20とが形成される。これら第1及び第2インダクタ52,54、62,64は、それぞれ複数のアルミ配線がコンタクトを介して積層されると共に、互いに同一方向に巻回され、各アルミ配線が互いに相手のインダクタの隣接するアルミ配線間に配置されて形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にインダクタを集積してなる半導体装置であって、前記インダクタは複数層からなるメタル配線によりスパイラル状に形成され、中心部で互いに接続された第1及び第2インダクタからなり、これら第1及び第2インダクタは、各メタル配線が一部で互いに交差されると共に、径方向に交互に配置されて同一方向に巻回され、前記交差部において各インダクタ毎に異なる層のメタル配線同士が接続されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 27/04 L ,  H01L 21/88 S ,  H01L 27/08 321 Z

Fターム (15件)：

5F033HH08 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK08 ,  5F033UU04 ,  5F033VV08 ,  5F033XX00 ,  5F033XX08 ,  5F038AZ03 ,  5F038AZ04 ,  5F038DF14 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BF02