特許
J-GLOBAL ID:200903055121097154
薄膜インダクタ用フェライト基板、該基板を用いた薄膜コモンモードフィルタ、該基板を用いた薄膜コモンモードフィルタアレイ及び該基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 恵一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-163563
公開番号(公開出願番号):特開2005-001894
出願日: 2003年06月09日
公開日(公表日): 2005年01月06日
要約:
【課題】表面の絶縁抵抗が高くしかも劣化が少ない、機械的強度の高い、かつ基板表面への端子の形成を精密にかつ容易に行なうことができる薄膜インダクタ用フェライト基板、この基板を用いた薄膜コモンモードフィルタ、この基板を用いた薄膜コモンモードフィルタアレイ及びこの基板の製造方法を提供する。【解決手段】Fe2O3 40〜55mol%、NiO 5〜35mol%、ZnO 10〜40mol%、及びBi2O3 150〜750ppmの組成又はFe2O3 40〜55mol%、NiO 5〜35mol%、ZnO 10〜40mol%、CuO 5〜10mol%、及びMnO2 0.5〜2mol%の組成となるように原料を配合して場合によっては添加し、成型して焼成した後、HIPを行なう。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
Fe2O3 40〜55mol%、NiO 5〜35mol%、ZnO 10〜40mol%、及びBi2O3 150〜750ppmのフェライト組成を持ち、熱間静水圧成形による緻密な結晶構造を有することを特徴とする薄膜インダクタ用フェライト基板。
IPC (6件):
C04B35/26
, C04B35/30
, H01F1/34
, H01F17/04
, H01F27/00
, H01F41/02
FI (7件):
C04B35/26 J
, C04B35/30 A
, C04B35/30 C
, H01F1/34 A
, H01F17/04 F
, H01F41/02 D
, H01F15/00 C
Fターム (21件):
4G018AA08
, 4G018AA21
, 4G018AA23
, 4G018AA24
, 4G018AA25
, 4G018AA37
, 4G018AB09
, 4G018AC01
, 4G018AC02
, 4G018AC16
, 4G018AC17
, 4G018AC18
, 4G018AC22
, 4G018AC23
, 4G018AC26
, 5E041AB01
, 5E041CA10
, 5E041HB19
, 5E041NN02
, 5E070AA01
, 5E070BA12
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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