特許

J-GLOBAL ID：200903055121698468

配線用薄膜およびスパッタリングターゲット

発明者： 鈴木 祐一 ,  満 俊宏 ,  望月 修 ,  稲生 俊雄
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-236653
公開番号（公開出願番号）：特開2004-076080
出願日： 2002年08月14日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】Si膜への拡散が非常に少なく低抵抗の配線材料及びそれを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Ag、Cuの少なくとも1種を主成分とする合金からなる合金膜と前記合金の窒化物からなる窒化物膜とを積層した2層膜により配線用薄膜を構成する。特に、前記合金として、300°Cにおける窒化物の生成自由エネルギーが負の値である元素を添加元素として含む合金を用いる。また、Ag、Cuの少なくとも1種を主成分とし、300°Cにおける窒化物の生成自由エネルギーが負の値である元素を添加元素として含むスパッタリングターゲットを用いて配線用薄膜を形成する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

Ag、Cuの少なくとも1種を主成分とする合金からなる合金膜と前記合金の窒化物からなる窒化物膜とを積層した2層膜からなることを特徴とする配線用薄膜。

IPC (3件)：

C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285

FI (3件)：

C23C14/06 N ,  C23C14/34 A ,  H01L21/285 S

Fターム (17件)：

4K029BA22 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029EA08 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD42 ,  4M104FF13 ,  4M104HH04 ,  4M104HH16