特許

J-GLOBAL ID：200903055126269760

半導体記憶装置

発明者： 萩原 良昭 ,  小野塚 芳夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-093476
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288495
出願日： 1995年04月19日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、電源を切ってもアナログデータの書き込みおよび読み出しを可能とし、またフラッシュ型消去を可能とする。【構成】 半導体基板11上に設けた転送ゲート12と、この一方側の半導体基板11に設けた受光部のn拡散層15と、転送ゲート12の他方側の半導体基板11に設けたCCDからなる垂直レジスタ16とを備えた半導体記憶装置であって、転送ゲート12とn拡散層15との間における半導体基板11上にフローティングゲート電極22を下層に有する2層ゲート25を備えたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた転送ゲートと、前記転送ゲートの一方側の前記半導体基板に設けた受光部の拡散層と、前記転送ゲートの他方側の前記半導体基板に設けた電荷結合デバイスからなるレジスタとを備えた半導体記憶装置において、前記転送ゲートと前記受光部の拡散層との間における前記半導体基板にフローティングゲートを下層に有する2層ゲートを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 27/148 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/14 B ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-026076
  
• 特開平4-206967