特許
J-GLOBAL ID：200903055127974920

セラミック抵抗体及びその製造方法並びに静電チャック

発明者：
神谷 哲

神谷 哲 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-292310
公開番号（公開出願番号）：特開2002-220284
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】抵抗温度係数が小さく、特に-50°Cから200°Cの温度範囲内において、108〜1012Ω・cmの体積固有抵抗値が得られるセラミック抵抗体と、このセラミック抵抗体を用いて大きな吸着力が得られるとともに、離脱性に優れ、熱伝導率が高い静電チャックを提供する。【解決手段】AlNを主成分とし、副成分としてCe2O3を含有した焼結体であって、この焼結体の抵抗温度係数が2.5以下である窒化アルミニウム質焼結体によりセラミック抵抗体を形成するとともに、上記セラミック抵抗体のうち、X線回折チャートにおいて、JCPDSカード番号25-1133の(100)面における回折強度をA、JCPDSカード番号44-1086の(011)面における回折強度をBとした時、上記各回折強度の比B/Aが0.02〜0.2で、熱伝導率が110W/m・K以上であるセラミック抵抗体により静電チャックの誘電体層Pを形成する。
請求項（抜粋）：
AlNを主成分とし、副成分としてCe2O3を含有した窒化アルミニウム質焼結体からなり、該窒化アルミニウム質焼結体の抵抗温度係数が2.5以下であることを特徴とするセラミック抵抗体。
IPC (2件)：
C04B 35/581 ,  H01L 21/68
FI (4件)：
H01L 21/68 R ,  C04B 35/58 104 B ,  C04B 35/58 104 Q ,  C04B 35/58 104 Y
Fターム (16件)：
4G001BA11 ,  4G001BA36 ,  4G001BB11 ,  4G001BB36 ,  4G001BC34 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BD03 ,  4G001BD23 ,  4G001BD38 ,  4G001BE01 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA16 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32
引用特許：
審査官引用 (7件)
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