特許
J-GLOBAL ID：200903055129263274

プリウェット剤及びそのプリウェット剤を用いたレジスト保護膜形成方法

発明者：
前盛 諭

前盛 諭 について

, 
横井 滋

横井 滋 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-319618
公開番号（公開出願番号）：特開2009-145395
出願日： 2007年12月11日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
【課題】液浸露光プロセスに必要なレジスト保護膜形成用組成物の消費量を削減することができるレジスト保護膜用プリウェット剤及びそのプリウェット剤を用いたレジスト保護膜形成方法を提供する。【解決手段】レジスト膜上にレジスト保護膜形成用組成物を塗布し、レジスト保護膜を形成する前に、前記レジスト膜上に塗布又は散布される溶剤であるプリウェット剤として、アルコール系溶剤及び/又はエーテル系溶剤を用いる。アルコール系溶剤としては4-メチル-2-ペンタノールが特に好ましく、エーテル系溶剤としてはジブチルエーテル、ジイソアミルエーテル、1,8-シネオールが特に好ましい。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
レジスト膜上にレジスト保護膜形成用組成物を塗布し、レジスト保護膜を形成する前に、前記レジスト膜上に塗布又は散布される溶剤であるプリウェット剤であって、 前記プリウェット剤がアルコール系溶剤及び/又はエーテル系溶剤であることを特徴とするプリウェット剤。
IPC (5件)：
G03F 7/11 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/16 ,  B05D 3/10 ,  B05D 7/00
FI (6件)：
G03F7/11 501 ,  H01L21/30 565 ,  H01L21/30 575 ,  G03F7/16 502 ,  B05D3/10 H ,  B05D7/00 H
Fターム (16件)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA01 ,  4D075AE03 ,  4D075DA06 ,  4D075DB01 ,  4D075DC22 ,  4D075EA45 ,  4D075EB14 ,  4D075EC30 ,  5F046JA22
引用特許：
出願人引用 (5件)
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