特許
J-GLOBAL ID:200903055129573214
フォトマスクブランク用基板の選定方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (3件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-280464
公開番号(公開出願番号):特開2005-043837
出願日: 2003年07月25日
公開日(公表日): 2005年02月17日
要約:
【解決手段】 フォトマスクブランク用基板の上面に、少なくとも遮光膜若しくは位相シフト膜を含む1層又は2層以上の膜を成膜してフォトマスクブランクを作製し、膜をパターン形成してフォトマスクを作製し、これを露光装置に固定した場合について、膜成膜前から露光装置に固定したときへの基板上面の形状変化をシミュレーションし、露光装置への固定時において平坦な上面形状を与える変化前の基板の上面形状を決定して、この上面形状を有する基板を良好な基板として選定するフォトマスクブランク用基板の選定方法。【効果】 本発明によれば、基板の上面形状を最適化したフォトマスクブランク用基板を製造することが可能であり、フォトマスクのパターン形成面形状が不良となって所定のパターン露光精度が得られなくなるおそれのある基板を基板製造時において可及的に低減できることから、フォトマスクの生産性を向上させることができる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
フォトマスクブランク用基板の上面に、少なくとも遮光膜若しくは位相シフト膜を含む1層又は2層以上の膜を成膜してフォトマスクブランクを作製し、上記膜をパターン形成してフォトマスクを作製し、これを露光装置に固定した場合について、膜成膜前から露光装置に固定したときへの上記基板上面の形状変化をシミュレーションし、上記露光装置への固定時において平坦な上面形状を与える変化前の基板の上面形状を決定して、この上面形状を有する基板を良好な基板として選定することを特徴とするフォトマスクブランク用基板の選定方法。
IPC (2件):
FI (2件):
G03F1/14 A
, H01L21/30 502P
Fターム (3件):
2H095BB03
, 2H095BC28
, 2H095BD01
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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