特許
J-GLOBAL ID：200903055131626686
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087583
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286354
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 高周波特性において特性劣化の発生しない中空構造パッケージの半導体装置を、モールドパッケージと同等の生産性とコストで得る。【解決手段】 板状のベース基板の複数の凹部にそれぞれ半導体チップを収容し、このベース基板の上に板状のキャップ部材を接着し、ダイシングにより分離する。ベース基板には、複数の凹部の間でベース基板を貫通する孔部を形成する。ベース基板及びキャップ部材には、低純度アルミナ材料又は有機系材を使う。
請求項（抜粋）：
主面に複数の凹部が形成された板状のベース基板の上記凹部にそれぞれ半導体チップを収容し、上記ベース基板の上記主面の全面に板状のキャップ部材を接着し、上記ベース基板及び上記キャップ部材を上記複数の凹部の間で分割して上記半導体チップを個別に含む複数の半導体装置を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/02 Z
, H01L 23/12 F
