特許
J-GLOBAL ID：200903055133947072
ダイヤモンド膜の選択形成法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福村 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066195
公開番号（公開出願番号）：特開平5-270985
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月19日
要約：
【要約】【目的】 この発明の目的は、パターニング用マスクを使用せずに、基板上に所望の任意のパターンの、不純物の少ないダイヤモンド膜を形成させる方法を提供することにある。【構成】 この発明のダイヤモンド膜の選択形成方法は、基板を陰極とし、この基板上に、陽極の径が1mm以下である先端部を相対的に移動させることにより、ダイヤモンド膜を形成すべき部分を選択的に電界処理し、次いで、該基板上に気相合成法によってダイヤモンドを合成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板を陰極とし、この基板上に、陽極の径が1mm以下である先端部を相対的に移動させることにより、ダイヤモンド膜を形成すべき部分を選択的に電界処理し、次いで、該基板上に気相合成法によってダイヤモンドを合成することを特徴とするダイヤモンド膜の選択形成法。
引用特許：
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