特許
J-GLOBAL ID：200903055136467004
高純度誘電体薄膜形成用ターゲット材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068603
公開番号（公開出願番号）：特開平7-070747
出願日： 1992年01月16日
公開日（公表日）： 1995年03月14日
要約：
【要約】【目的】 一般式: MTiO<SB>3 </SB>または(M'<SB>x </SB>Pb<SB>1-x </SB>)TiO<SB>3 </SB> (式中、MおよびM'はそれぞれBa, Ca, Mg, Sr, Nb, Bi, CdおよびCeから選ばれる1種または2種以上の金属、0<x<1) で表されるペロブスカイト型チタン酸塩化合物からなる誘電体薄膜をスパッタリング法により形成するためのターゲット材の改良。【構成】 ターゲット材が各成分金属の精製された有機金属化合物 (例、カルボン酸塩、アルコキシド) の熱分解で得た金属酸化物粉末を所定組成比となるように混合した混合物の焼結体からなり、この焼結体のアルカリ金属不純物の含有量が1ppm 以下、好ましくは0.1 ppm 以下であり、好ましくはUとThの合計含有量が10 ppb以下である。【効果】 リーク電流が少なく、誘電特性に優れた高純度のスパッタリング膜が得られる。
請求項（抜粋）：
一般式 MTiO<SB>3 </SB>または(M'<SB>x </SB>Pb<SB>1-x </SB>)TiO<SB>3</SB>(式中、MおよびM'はそれぞれBa, Ca, Mg, SrおよびCdから選ばれる1種または2種以上の金属元素であり、xは0<x<1である)で表されるペロブスカイト型チタン酸塩化合物からなる誘電体薄膜をスパッタリング法により形成するためのターゲット材であって、このターゲット材は各成分金属の精製された有機金属化合物から得た金属酸化物粉末を前記一般式で表される所定組成比となるように混合した混合物の焼結体からなり、ターゲット材のアルカリ金属不純物の含有量が1ppm 以下であって、それによりアルカリ金属不純物の含有量が1ppm 以下の誘電体薄膜を形成することができるターゲット材。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C23C 14/08
, H01L 27/04
, H01L 21/822
