特許

J-GLOBAL ID：200903055139201978

アクテイブマトリクス液晶パネル

発明者： 工藤 泰樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236994
公開番号（公開出願番号）：特開平5-053148
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 反射光のTFT素子のアモルファスシリコン膜(a-Si膜)への入射レベルが低くなるようにして、TFT素子のオフ電流を抑制し、信号電圧の保持特性の向上を図る。【構成】 ガラス基板101上に、ゲート電極102、ゲート絶縁膜103、a-Si膜104、絶縁膜110、n型a-Si膜105、ドレイン電極106、ソース電極107、画素電極109等が形成されてなるTFT基板Aと、ガラス基板121上にブラックマトリクス122、カラーフィルタ124、オーバーコート125、対向電極126等を形成してなる対向電極基板Bとを対向配置した液晶パネルにおいて、ソース・ドレイン電極上および/またはブラックマトリクス上に酸化クロム膜108、123を設ける。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に金属膜からなるブラックマトリクスと透明導電材料からなる対向電極が形成されている対向電極基板と、ガラス基板上に複数の薄膜トランジスタおよび金属膜からなる薄膜トランジスタに対するソース・ドレイン電極配線が形成されているTFT基板と、前記対向基板と前記TFT基板との間に充填された液晶と、を具備するアクティブマトリクス液晶パネルにおいて、前記ブラックマトリクスおよび前記ソース・ドレイン電極配線のうちの少なくとも一方の表面は金属酸化物膜で覆われていることを特徴とするアクティブマトリクス液晶パネル。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 338

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-216129
  
• 特開平2-306222
  
• 特開平3-034374
  
• 特開平2-085826