特許

J-GLOBAL ID：200903055140384652

シリコン単結晶の引き上げ方法

発明者： 野村 眞次 ,  今吉 全史 ,  山本 桂
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143421
公開番号（公開出願番号）：特開平5-310496
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月22日
要約：

【要約】【目的】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引き上げにおいて、酸素誘起積層欠陥の微小なシリコン単結晶を得ることができるようにする。【構成】 シリコン単結晶3のメインボデイの引き上げが終了し、テール処理の際、テール部の引き上げ時間を200×{引き上げ単結晶の直径(インチ)}/6分以下とする。また、TVカメラ8によりシリコン単結晶3の外周と融液2との境界に存在するメニスカスリングの位置を走査し、前記TVカメラ8の出力信号に基づいてテール部の直径の減少量を制御するとともに、テール部の円錐の頂角が50度以上となるように引き上げ速度を制御する。上記のようにテール部引き上げ時間とテール部角度とを制御することにより、酸素誘起積層欠陥を激減させることができる。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引き上げにおいて、テール部の引き上げ時間を200×{引き上げ単結晶の直径(インチ)}/6分以下とし、かつ、テール部の円錐の頂角が50度以上となるように円錐の直径減少量を連続して制御することを特徴とするシリコン単結晶の引き上げ方法。

IPC (2件)：

C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502