特許

J-GLOBAL ID：200903055144279128

エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに発光ダイオード

発明者： 野口 雅弘 ,  水庭 清治 ,  豊島 敏也
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-147581
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008353
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】p型クラッド層のドープ量を増加せず、しかも一連のエピタキシャル成長中に、p型GaAlAsクラッド層の表面に高濃度p型キャリア層を形成する。【構成】エピタキシャルウェハは、Znドープのp型GaAs基板上に、液相成長法によりp型GaAlAsクラッド層、p型GaAlAs活性層及びn型GaAlAsクラッド層を順次成長した後、p型GaAs基板を除去して形成する。成長に際しては、p型キャリア濃度が1×1019〜5×1019cm-3のp型GaAs基板を使用し、かつp型GaAlAsクラッド層を液相徐冷法により900°Cより高い温度から成長させる。これによりp型GaAs基板からのZnの拡散を利用してp型クラッド層表面のp型キャリア濃度を0.7×1018〜2×1018cm-3に高める。

請求項（抜粋）：

p型GaAlAsクラッド層、該p型クラッド層上に形成されたp型GaAlAs活性層、および該p型活性層上に形成されたn型GaAlAsクラッド層を備えたエピタキシャルウェハにおいて、上記p型GaAlAsクラッド層の表面近傍のp型キャリア濃度が0.7×1018〜2×1018cm-3であることを特徴とするエピタキシャルウェハ。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

H01L 33/00 D ,  H01L 33/00 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/208 S