特許

J-GLOBAL ID：200903055146765526

半導体レーザ装置

発明者： 山本 剛之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-252466
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097789
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 上部クラッド層の抵抗の増加を抑制し、かつ実装基板への搭載の容易なリッジ型半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 半導体基板の主表面の上に、活性層が形成されている。活性層は、出射端面から反射端面に向かってある距離までの領域において出射端面に近づくに従って徐々に薄くなっている。活性層の上に出射端面から反射端面に向かって延在するリッジ部が形成されている。リッジ部の出射端面から第1の距離までの領域においては、出射端面に近づくに従って徐々に幅広になり、出射端面から第2の距離までの第1の領域の上面が、その他の第2の領域の上面よりも高くされている。半導体基板の主表面のうち、リッジ部の両脇の領域上にメサ構造部が形成されている。メサ構造部の上面が、リッジ部の上面のうち最も高い部分と等しいかまたはそれよりも高い位置に主表面と平行な仮想平面を画定する。

請求項（抜粋）：

主表面、レーザ光の出射端面、及びその反対側の反射端面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面の上に、少なくとも前記出射端面から前記反射端面まで連続して形成され、前記出射端面から前記反射端面に向かってある距離までの領域において該出射端面に近づくに従って徐々に薄くなっている活性層と、前記活性層の上に半導体材料により形成され、前記出射端面から前記反射端面に向かって延在し、該出射端面から第1の距離までの領域においては、該出射端面に近づくに従って徐々に幅広になり、該出射端面から第2の距離までの第1の領域の上面が、その他の第2の領域の上面よりも高くされ、前記第2の領域の少なくとも一部が前記第1導電型とは逆の第2導電型にされているリッジ部と、前記半導体基板の主表面のうち、前記リッジ部の両脇の領域上に形成され、前記リッジ部の上面のうち最も高い部分と等しいかまたはそれよりも高い位置に前記主表面と平行な仮想平面を画定する上面を有するメサ構造部とを有する半導体レーザ装置。