二次元画像検出器およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070271
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274453
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】アクティブマトリクス基板上に300°C以下の低温でCdTeやCdZnTeなどの半導体材料を形成することで、応答性がよく、動画像にも対応できる二次元画像検出器およびその製造方法を提供すること。【解決手段】格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器において、前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えており、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該両基板は、絶縁材料で格子状に絶縁された導電材料によって電気的に接続されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器において、前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えており、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該両基板は、絶縁材料で格子状に絶縁された導電材料によって電気的に接続されていることを特徴とする二次元画像検出器。

IPC (4件)：

H01L 27/146 , G01T 1/24 , H01L 27/14 , H01L 31/09

FI (4件)：

H01L 27/14 E , G01T 1/24 , H01L 27/14 K , H01L 31/00 A

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