特許
J-GLOBAL ID:200903055147245240
プラズマエッチング用電極板
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高畑 正也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-157515
公開番号(公開出願番号):特開平5-320955
出願日: 1992年05月25日
公開日(公表日): 1993年12月07日
要約:
【要約】【目的】 半導体デバイスの高集積度化を高製品歩留で達成し、かつエッチング速度の安定化と電極寿命を向上しえるプラズマエッチング用電極板を提供する。【構成】 下記の性状を備えるガラス状カーボンからなるプラズマエッチング用電極板。純度特性:総灰分5ppm 以下、金属不純物2ppm 以下、総硫黄分30ppm 以下結晶特性:結晶面間隔(002)0.375nm以下、結晶子(002) の大きさ1.3nm 以上材質特性:比重1.50以上、曲げ強度1100kgf/cm2 以上上記の性状に加えて、含有ポアーの大きさが1μm 未満で、ポアー含有率が5%未満の材質組織を有することが好ましい。
請求項(抜粋):
純度特性が総灰分5ppm 以下、金属不純物2ppm 以下、総硫黄分30ppm 以下で、結晶特性が結晶面間隔(002) 0.375nm 以下、結晶子(002) の大きさが 1.3nm以上で、かつ材質特性が比重1.50以上、曲げ強度が1100kgf/cm2以上の性状を備えるガラス状カーボンからなることを特徴とするプラズマエッチング用電極板。
IPC (2件):
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