特許
J-GLOBAL ID：200903055147285854
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
金丸 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295058
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151386
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【構成】 水を電解して酸素ガス及び水素ガスを発生するイオン交換膜型水電解槽7等の水電解装置と、該水電解装置で得られる酸素ガス、又は、酸素ガスと水素ガスとの混合調整ガス、或いは、酸素ガスと水素ガスとから酸水素燃焼器24等の水蒸気発生手段により生成される水蒸気を、灰化室1に導入し、これをプラズマ化すること、又は、紫外線を照射することにより、半導体製造工程で用いるレジストを灰化して除去するアッシャーとを有する半導体製造装置。【効果】 酸素ガス等の危険性ガスの漏洩の危険性がなく、安全性に優れ、又、装置の移設に際してガス供給管の配管工事が不必要となる。
請求項（抜粋）：
酸素ガス及び水素ガスの発生源と、該発生源で得られる酸素ガス、又は、酸素ガスと水素ガスとの混合調整ガス、或いは、酸素ガスと水素ガスとから水蒸気発生手段により生成される水蒸気を、灰化室に導入し、プラズマ化し、このプラズマにより、半導体製造工程で用いるレジストを灰化して除去するアッシャーとを有する半導体製造装置であって、前記酸素ガス及び水素ガスの発生源が水を電解して酸素ガス及び水素ガスを発生する水電解装置であることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
