特許
J-GLOBAL ID:200903055150381384

半導体装置とそれに用いるリードフレーム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-116581
公開番号(公開出願番号):特開2000-307027
出願日: 1999年04月23日
公開日(公表日): 2000年11月02日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子を搭載する支持部として配線基板を用い、外部接続端子にリードフレームを使用する。【解決手段】 基板52の一方の面に第1半導体素子60が搭載され、第1電極62はリードフレーム68にボンデイングワイヤ64により接合され、基板に設けられた貫通孔14の一方の面に第2半導体12が搭載され、第2電極18は貫通孔を通してリードフレームのワイヤボンデイング部16にボンデイングワイヤ20で接続される。基板、第1半導体素子、第2半導体素子、ボンデイングワイヤ、インナーリード68aは樹脂70で封止される。
請求項(抜粋):
第1ワイヤボンディング部およびリードフレーム接合パッドを備えた配線パターンが一方の面に形成された配線基板と、該配線基板の前記一方の面に電極端子形成面を上にして搭載され、該電極端子形成面の周縁部に形成された第1電極端子と前記第1ワイヤボンディング部とがボンディングワイヤにより電気的に接続された第1半導体素子と、インナーリードが前記リードフレーム接合パッドに接合されたリードフレームと、前記配線基板に設けた貫通穴の前記一方の面側の開口縁部に形成した、リードフレーム接合パッドを備えた配線パターンの第2ワイヤボンディング部と、前記配線基板の他方の面に電極端子形成面を対向させて、該電極端子形成面に形成された第2電極端子が前記貫通穴の内側となるように搭載され、貫通穴を通して前記第2電極端子と前記第2ワイヤボンディング部とがボンディングワイヤにより電気的に接続された第2半導体素子とを有し、前記配線基板、第1半導体素子、第2半導体素子、ボンディングワイヤおよびインナーリードを樹脂封止して成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/50
FI (6件):
H01L 23/12 H ,  H01L 21/60 301 B ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/50 S ,  H01L 23/12 W ,  H01L 23/12 Q
Fターム (13件):
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109FA03 ,  4M109GA02 ,  5F044AA01 ,  5F044AA05 ,  5F044AA10 ,  5F044AA20 ,  5F044JJ03 ,  5F067BB08 ,  5F067CC09 ,  5F067DA05

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