特許

J-GLOBAL ID：200903055151207469

ウエハ加熱冷却装置

発明者： 山崎 修
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-036734
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236533
出願日： 1995年02月24日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハ18の温度を短時間で目標温度TO に移行させ、その後この目標温度TO に維持する。【構成】 半導体ウエハ18を加熱又は冷却する温度プレート10と、半導体ウエハ18をこの半導体ウエハ表面と温度プレート10表面との相対的間隔dを可変自在にして支持する半導体ウエハ支持機構(15a,15b,16)とを設け、半導体ウエハ表面が温度プレート表面と規定間隔dS を有した状態で、半導体ウエハ18の温度が目標温度を維持するための規定温度TP に温度プレート10の温度を制御する(13)。また、半導体ウエハ18の搬入時刻から半導体ウエハがほぼ目標温度TO に達する規定時間tS 経過まで半導体ウエハ表面を温度プレート表面に接触させ、この規定時間経過後に半導体ウエハ表面と温度プレート表面との間隔を規定間隔dS に変更する(17)。

請求項（抜粋）：

搬入された半導体ウエハの温度をこの半導体ウエハ表面に対向する温度プレートで加熱又は冷却して目標温度に制御するウエハ加熱冷却装置において、前記半導体ウエハをこの半導体ウエハ表面と前記温度プレート表面との相対的間隔を可変自在にして支持する半導体ウエハ支持機構と、前記半導体ウエハ表面が前記温度プレート表面と規定間隔を有した状態で、前記半導体ウエハの温度が前記目標温度を維持するための規定温度に前記温度プレートの温度を制御する温度制御部と、前記半導体ウエハの搬入時刻から前記半導体ウエハがほぼ前記目標温度に達する規定時間の経過まで前記半導体ウエハ表面を前記温度プレート表面に接触させ、この規定時間の経過後に前記半導体ウエハ表面と温度プレート表面との間隔を前記規定間隔に相対的に変更する半導体ウエハ支持機構制御部とを備えたことを特徴とするウエハ加熱冷却装置。

IPC (3件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511

FI (3件)：

H01L 21/324 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 A