特許
J-GLOBAL ID：200903055168262315
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-353708
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202058
出願日： 1993年12月30日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 キャビティダウン型シームウェルディング方式セラミックパッケージを用いた半導体装置において、搭載できるチップのサイズ大型化と、植設できる外部リード本数の増加を図る。【構成】 半導体素子3は、セラミックパッケージ1設けられたキャビティ部1a内に搭載され、キャビティ部1aの上部外周には、シールリング4がロウ付けされ、このシールリング4上には金属キャップ5が溶接されている。その外側のパッケージの面上には外部リード2が植設されている。金属キャップ5は概略正方形であるがコーナ部5aにはRがつけられている。シームウェルディングは、直線部はローラ電極6(またはパッケージ)を平行に移動させて行い、コーナ部はローラ電極(またはパッケージ)を回転させて行う。
請求項（抜粋）：
キャビティ側の面に外部リードが林立しているキャビティダウン型シームウェルディング方式セラミックパッケージを用いた半導体装置において、半導体素子を封止する金属キャップの平面形状が概略四辺形でかつそのコーナ部がラウンドに加工されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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